[25a-12F-1~9] 6.4 Thin films and New materials

10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)

[25a-12F-6] N-Doped Sb₃Te Phase-Change Material for High Performance Artificial Synaptic Device

〇Shota Yoshimoto¹, You Yin¹ (1.Gunma Univ.)

Keywords:

Artificial Synaptic Device

本研究では相変化材料人工シナプス素子の高性能化 （熱安定性向上等）を目的とし、従来の相変化材料 Sb₃Te の特性向上のため、N ドーピングによる結晶構造と抵抗率変化および結晶化温度を検討した。