[10a-N304-1~7] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)

[10a-N304-1] Deposition Duration Dependence of the Passivation Quality of Cat-CVD Si Nitride Films Deposited on the Edges of Crystalline Si Solar Cells

〇(M2C)Ming Qi¹, Kensaku Maeda¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:

Passivation of the edges

Cat-CVD法で結晶シリコン太陽電池端面に堆積した窒化シリコン膜のパッシベーション性能の堆積時間依存性を調査した。p型およびn型セルに窒化シリコン膜を200 s、500 s、1000 sで堆積し、J–V特性を測定した結果、堆積時間の増加に伴い開放電圧の増加量が向上した。特にn型セルで顕著な向上が見られ、正の固定電荷による電界効果パッシベーションの有効性が示唆された。