[10a-N321-1~12] 12.3 Functional Materials and Novel Devices

10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10a-N321-8] Optoelectronic memory switched by interfacial photochemical reactions

〇Tai Kobayashi¹, Ryosuke Nishikubo^1,2, Akinori Saeki^1,2 (1.Univ. of Osaka, 2.ICS-OTRI)

Keywords:

Optoelectronic memory,Photovoltaics,Wavelength dependence

一般的な光電変換素子の出力特性はショックレーのダイオード式に従うため、波長選択性を持たない。しかし当研究室では電子輸送層にTiO₂を積層した光電変換素子が照射波長に応じて電圧が可逆に変化する新現象を見出した。本研究ではこの現象を応用し、光化学反応によりスイッチング可能な光電気メモリーの創成に取り組んだ。補助電圧を必要とせずに光照射のみで動作する光電気メモリーとして、さらなる発展が期待される。