Presentation Information
[10a-S103-7]Graphene near-infrared photodetectors using InGaAs photodiode
〇Shoichiro Fukushima1, Masaaki Shimatani1, Manabu Iwakawa1, Shinpei Ogawa1 (1.Mitsubishi Electric Corporation)
Keywords:
graphene,near infrared,photodetector
近赤外光 (波長: 700 nm – 2500 nm) を対象とする光検出器は、可視光と同様の違和感のない形状撮像を可能にすると同時に、肉眼では捉えられない情報を可視化できることから、非破壊検査、セキュリティ、医療、通信など、幅広い分野において用いられている。近年、近赤外光検出器にはより微弱な光信号や瞬間的な変化を捉えるための高感度化が求められている。我々は主に光ゲート効果を用いたグラフェン光検出器を開発しており、深紫外、可視、中・長波長赤外線波長において高感度光検出を実証してきた。今回、近赤外波長域においても同様の効果を実証するため、グラフェン/InGaAsフォトダイオード光検出器について検討した結果を報告する。