[10p-N107-1~9] 2.2 Radiation generators, Detector development, Measurement technology

3:00 PM - 3:15 PM JST(6:00 AM - 6:15 AM UTC)

[10p-N107-6] Development of silicon solid-state detectors for super heavy element experiment II

〇Fuyuki Tokanai¹, Kouji Morimoto², Daiya Kaji², Pierre Brionnet², Mirei Takeyama¹, Kosaku Kuramoto¹, Kazumasa Kosugi³, Takuya Majima⁴, Keisuke Yasuda⁵ (1.Yamagata Univ., 2.RIKEN Nishina Center, 3.Hamamatsu Photonics, 4.Kyoto Univ., 5.Kyoto Pref. Univ.)

Keywords:

Si semiconductor detector,super heavy element experiment,dead lyaer

理化学研究所では、気体充填型反跳分離器（GARIS-II、III）と、その焦点面に設置されたSi半導体検出器を用いて、超重元素の合成実験を行っている。我々は、超重元素の核種同定精度を向上させるため、不感層の薄い新型pixel-SSDの開発を進めている。今回、側面用pixel-SSDに施されていた保護膜を除去し、不感層の低減を試みた。本発表では、新たに開発したpixel-SSDの不感層厚の測定結果と、TOF-ERDA（飛行時間–弾性反跳粒子検出法）による評価結果について報告する。