講演情報
[10p-N107-6]超重元素実験用シリコン半導体検出器の開発 II
〇門叶 冬樹1、森本 幸司2、加治 大哉2、Pierre Brionnet2、武山 美麗1、倉本 幸作1、小杉 和正3、間嶋 拓也4、安田 啓介5 (1.山形大理、2.理研仁科センター、3.浜松ホトニクス、4.京大院工、5.京府大)
キーワード：
シリコン半導体検出器、超重元素探査実験、不感層
理化学研究所では、気体充填型反跳分離器（GARIS-II、III）と、その焦点面に設置されたSi半導体検出器を用いて、超重元素の合成実験を行っている。我々は、超重元素の核種同定精度を向上させるため、不感層の薄い新型pixel-SSDの開発を進めている。今回、側面用pixel-SSDに施されていた保護膜を除去し、不感層の低減を試みた。本発表では、新たに開発したpixel-SSDの不感層厚の測定結果と、TOF-ERDA（飛行時間–弾性反跳粒子検出法）による評価結果について報告する。