Presentation Information
[7p-N304-12]Reduction of leakage current through high-k gate dielectric film with bank structure
〇Kazunori Kuribara1, Yasuyuki Kusaka1 (1.AIST)
Keywords:
Organic semiconductor,high-k dielectric,leakage current
有機エレクトロニクスの利点の１つは、常温・大気圧下で連続的に製造できることである。既に電極層や半導体層に関しては各種の印刷の研究が行われているが、ゲート絶縁膜の成膜法はまだ十分になされていなかった。前回の発表で我々は、ディップコート法と表面処理技術を組み合わせることで高誘電率ポリマー薄膜をAu電極表面に製膜可能であることを示した[第72回春季応物17p-K404-1]。表面処理により歩留まりの改善は見られたが、大面積化にはリークを低減し歩留まりをさらに改善する必要がある。本研究では、高誘電率ポリマー絶縁膜のリークの原因が塗布対象の電極厚みに由来する膜厚の不均一性と仮定し、バンク構造でもトランジスタ作製が可能かを検討したのでこれを報告する。