[7p-N405-1~12] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

3:15 PM - 3:30 PM JST(6:15 AM - 6:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[7p-N405-7] Influence of ZnS and SnO₂ on Femtosecond Laser Induced Tellurium Precipitation in Tellurite Glass

〇(M1)Namkyong Kim¹, Tetsuo Kishi¹, Kana Tomita¹, Tetsuji Yano¹, Haruki Kawaguchi², Hiyori Uehara² (1.Science Tokyo, 2.NIFS)

Keywords:

tellurite glass,tellurium semiconductor nanocrystal,femtosecond laser

テルライトガラスにフェムト秒レーザーを照射した際Te結晶を析出できるが、湿気の少ない雰囲気ではTeの析出量が低下し、Te結晶の抵抗値より一桁高い問題があった．本研究では、テルライトガラスにZnSおよびSnO₂を添加することで酸化還元状態を変化させ、fsレーザー照射によるTe結晶析出量を制御することを目的とした．講演では、組成とレーザー照射条件が析出に与える影響と析出メカニズムについて議論する．