[8p-N404-1~16] 11.1 Fundamental properties

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)

[8p-N404-1] Electron-Hole Asymmetric Phase in Layered Nickelate LaNiO₂

Masaki Kouda¹, Kengo Osame¹, Hiroyoshi Nobukane², Shuhei Shimoda³, Yoshiyuki Egami¹, 〇Masahito Sakoda¹ (1.Eng., Hokkaido Univ., 2.Sci., Hokkaido Univ., 3.Cat., Hokkaido Univ.)

Keywords:

layered Nickelate,electron doping,molecular beam epitaxy

ニッケル系の母物質にCeを化学置換したLa_1-xCe_xNiO₂を作製することで新たな秩序相を開拓した。Ce濃度x ≥ 0.25において、抵抗率は非常に強い電子相関を表わすEfros–Shklovskii型可変範囲ホッピングを示した。正孔ドープと非対称な絶縁相を発見した。