Presentation Information
[9a-N205-5]Temperature Dependence of Photoluminescence in Layered Two-Dimensional TiNCl
〇Masaru Oda1, Taisei Ukon1, Masashi Tanaka1, Hisao Kondo2, Aishi Yamamoto3 (1.Kyushu Inst. of Tech., 2.Ehime Univ., 3.Hiroshima Inst. of Tech.)
Keywords:
two-dimensional semiconductor,photoluminescence,band gap energy
遷移金属窒化ハロゲン化物（MNXs）は、組成の多様性により電気・光学特性の幅広い変化・制御が期待できるものの、物性の多くが実験的には未だ測定されていない二次元半導体である。今回、MNXsの一種であるTiNClの発光スペクトルの温度依存性を測定・解析したところ、50K以上の温度領域で、一般的な半導体とは逆に、温度上昇とともにバンドギャップエネルギーが増大するとの結果を得た。この結果の詳細を報告し、原因について議論する。