[9a-N323-1~9] 13.9 Compound solar cells

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)

[9a-N323-1] Heteroepitaxial growth of GaSb on GaAs substrates using a GaAsSb intermediate layer

〇Yusuke Oteki¹, Vaishnavi Thakur¹, Vladimir Pillet², Yoshitaka Okada¹ (1.RCAST, 2.Ecole Polytechnique)

Keywords:

GaSb,Heteroepitaxial growth

GaSbは低バンドギャップと高電子移動度を併せ持つことから、多接合太陽電池の４，５層目のサブセルとして応用が期待されている。しかし、高品質のGaSb 結晶成長法やデバイス構造の最適化に関する課題が残されており、さらにGaSb 基板を用いるより安価な GaAs 基板のヘテロエピタキシャル成長の研究が進んでいる。本研究ではGaAs_xSb_1-x中間層を用いることでGaSbの表面粗さを～0.2nmに抑制できたことを報告する。