Presentation Information

5:00 PM - 5:15 PM JST(8:00 AM - 8:15 AM UTC)

[9p-N301-13]Luminescence study of electron-beam-irradiated GaN

〇Kohei Shima¹, Masahiro Horita^2,3, Jun Suda^2,3, Shoji Ishibashi⁴, Akira Uedono⁵, Shigefusa Chichibu¹ (1.IMRAM-Tohoku Univ., 2.Nagoya Univ., 3.IMaSS-Nagoya Univ., 4.CCS-Univ. of Tsukuba, 5.Univ. of Tsukuba)

Keywords:

GaN,Electron-beam irradiation,Photoluminescence

電子線照射は、照射エネルギーに応じて特定の原子変位ないしは分子変位を引き起こすことが可能である。名古屋大学のグループは、450 keV未満の電子線を照射することによりn型GaN中のN原子のみを選択的に変位させ、DLTS測定により2種類の電子トラップ準位(EE1; E_c-0.13 eV、EE2; E_c-0.98 eV)を観測した。他方、V_GaおよびV_Nは深い輻射再結合中心の起源の一部と考えられているため、フォトルミネッセンス(PL)法による評価も有効であると考えられる。本講演では、電子線照射条件がn型GaN中の点欠陥導入に与える影響について、PLおよび時間分解PLにより評価した結果を報告する。

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