[9p-N406-1~13] 1.6 Ultrasonics

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9p-N406-3] Polarization control of GeAlN films and application to polarization inverted film BAW

〇Aoi Yamamoto¹, Masashi Suzuki¹, Shoji Kakio¹ (1.Yamanashi Univ.)

Keywords:

AlN

本研究では，RFマグネトロンスパッタ法で形成する単層GeAlN薄膜において，装置の大気開放を行わずにガス比のみを調整することで分極制御を目指した．分極制御において，ArとN₂のガス比を調節することにより極性が変化することがわかった ．その結果より，Al極性GeAlN / N極性GeAlNの2層分極反転構造膜を連続成膜で形成し，2次モード共振を達成した。