Presentation Information
[9p-P08-13]Study of time and temperature dependences of carrier transport characteristicsin CdTe semiconductor radiation detectors using laser pulses
〇Daiki Tomiita1, Syun Sugimoto1, Shu Naganawa1, Toru Aoki1,2, Tetsu Ito1,2 (1.Shizuoka Univ., 2.RIE,Shizuoka Univ.)
Keywords:
polarization,CdTe,semiconductor detectors
CdTeは長時間の連続利用で性能が劣化する現象が確認されている. この現象の原因の1つとして, 深い準位への電荷トラップに伴う内部電界の変化が考えられている. 本研究では, 深い準位への電荷トラップの熱的影響に着目し, キャリア輸送特性の温度依存性を評価することとした. ショットキー型CdTe放射線検出器に放射線に疑似したレーザーパルスを入射し, キャリアの発生位置を固定しながら各温度における出力信号の経時変化を観察した.