Presentation Information
[9p-P14-1]First-principles analysis of metal gettering by C-related defects in Si crystals
〇Iori Takeda1, Koji Ozawa1, Hibiki Bekku1, Yuji Hamamoto2, Koji Sueoka2 (1.Grad. Okayama Pref. Univ., 2.Okayama Pref. Univ.)
Keywords:
gettering,C-related defects,Si
C関連欠陥の最近接位置を超える領域のゲッタリング能力を明らかにするために，密度汎関数理論に基づく第一原理計算により，金属不純物との結合エネルギー（Eb）を求めた．計算では，ドーパント（B，P，As）と置換炭素Cs，Cs-I複合体，Ci-Oi複合体をゲッタリングサイトとした． 64原子モデルを用い，金属の初期配置として，ゲッタリングサイト周囲の独立な格子間位置について網羅的に計算することで，Ebの配置依存性を正確に求めた．