[10a-B31-1~12] 6.1 Ferroelectric thin films

9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10a-B31-4] Crystal Structure and Piezoelectric Properties of BiFeO₃-BaTiO₃ Epitaxial Thin Films on Si

〇Yuji Ashida¹, Takeshi Yoshimura^1,2 (1.Osaka Metro. Univ., 2.Toyohashi Univ. Tech.)

Keywords:

ferroelectric thin film

BiFeO₃(BF)とBaTiO₃(BT)の固溶体(BF-BT)は、BF由来の高い強誘電性やキュリー温度と、BT由来の高い比誘電率を持ち合わせていることから、新たな非鉛強誘電体として注目されている。さらに、BT組成25~40 %の組成域において濃度相境界(MPB)が形成され、バルクセラミックスやSrTiO₃基板上BF-BT薄膜において強誘電性や圧電性が向上すると報告されている。しかし、MEMS応用を志向したSi基板上のBF-BT薄膜に関する研究報告は少ない。本研究では、1つの試料上で組成傾斜や温度傾斜をつけた製膜を行うことができる２軸コンビナトリアルスパッタ法を用いてエピタキシャルBF-BT薄膜をSi基板上に作製し、BT組成に対する圧電特性の変化を調べた。