[10a-E215-1~10] CS.10 Code-sharing session of 6.5&7.5

9:15 AM - 9:30 AM JST(12:15 AM - 12:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10a-E215-2] Epitaxial growth of Weyl semimetal B20-type CoGe thin films/Si and their thermoelectric properties

〇Asumi Michibata¹, Tsukasa Terada¹, Takafumi Ishibe¹, Yuichiro Yamashita², Nobuyasu Naruse³, Katsuhiro Suzuki⁴ (1.Univ. Osaka, 2.AIST, 3.Shiga Univ. Med. Sci., 4.NIT Niihama College)

Keywords:

Weyl semimetal,thermoelectric material,thin film

ワイル半金属B20型CoGeは、その特異な電子構造から熱電材料として期待されている。一方、常圧下ではCoとGeの原子半径比が安定条件を満たさず、応用上重要なSi基板上への薄膜形成は困難である。本研究では、実質的な原子半径比を制御したB20型CoSiGeを成長核として導入することで、B20型CoGe薄膜のSi基板上エピタキシャル成長を実現し、その熱電特性を評価する。