[10a-E215-1~10] CS.10 6.5 表面物理・真空、7.5 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[10a-E215-2] ワイル半金属B20型CoGe薄膜のSi基板上エピタキシャル成長とその熱電特性

〇道端 亜澄¹、寺田 吏¹、石部 貴史¹、山下 雄一郎²、成瀬 延康³、鈴木 雄大⁴ (1.阪大院基礎工、2.産総研、3.滋賀医科大、4.新居浜高専)

キーワード：

ワイル半金属、熱電材料、薄膜

ワイル半金属B20型CoGeは、その特異な電子構造から熱電材料として期待されている。一方、常圧下ではCoとGeの原子半径比が安定条件を満たさず、応用上重要なSi基板上への薄膜形成は困難である。本研究では、実質的な原子半径比を制御したB20型CoSiGeを成長核として導入することで、B20型CoGe薄膜のSi基板上エピタキシャル成長を実現し、その熱電特性を評価する。