Presentation Information
[10a-E301-11]Temperature-dependent characteristics of polycrystalline Ga-doped In2O3 channel field-effect transistors
〇Hikaru Hoshikawa1, Takanori Takahashi1, Yukiharu Uraoka1 (1.NAIST)
Keywords:
Polycrystalline Oxide Semiconductor,Field effect transister,Temperature dependence evaluation
多結晶IGO-FETは高い移動度を示すが、キャリア伝導機構については体系的な理解が得られていない。本研究では伝導機構解明に向けて伝達特性の温度依存性を評価した。その結果、低Vg領域では粒界散乱、高Vg領域では粒界障壁の低減により粒内散乱に律速されることが推察された。発表では低μFE (~40 cm2/Vs) 及び高μFE (~120 cm2/Vs) を示す多結晶IGO-FETにおける温度依存性の詳細を報告する。