Presentation Information
[10a-F212-5]Evaluation of reverse leakage characteristics in p-type diamond SBD by emission microscopy
〇Kentaro Ema1, Akira Shingu1, Takuya Moriki1, Daisuke Sano1 (1.Honda R&D Co., Ltd.)
Keywords:
Diamond,SBD,Emission microscopy
ダイヤモンドは高い絶縁破壊電界と高い熱伝導率を有し、次世代パワーデバイス材料として期待されている。ダイヤモンドのパワー半導体デバイス応用はSBDやFETなど幅広く研究されており、欠陥抑制によるリーク電流低減なども報告されている。一方で、リーク位置の直接的な観察やそれによるキラー欠陥の特定に関する報告は少ない。本研究では、擬似縦型p型ダイヤモンドSBDに逆バイアスを印加し、透明ダイヤモンド基板側からエミッション顕微鏡観察を行うことで、ショットキー電極直下の発光ホットスポットを直接観察したので報告する。