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[10a-PA4-12]Measurement of the dielectric constant of iodine-doped a-CNx:H thin films

〇(M2)Takeru Saito1, Yamazato Masaaki1, Higa Akira1 (1.Univ. of the Ryukyus)

Keywords:

amorphous carbon

水素化アモルファス窒化炭素(a-CNx:H)薄膜において、電子デバイスへの応用を目的としたヨウ素ドーピングが試みられている。本研究では膜中のヨウ素量(I/C比)ごとの誘電率の変化を調べることで、ヨウ素がa-CNx:H薄膜の電気的特性に与える影響について調査した。誘電率の評価により、100 kHz以下の全領域で比誘電率の上昇がみられ、I/C比の増加に伴って比誘電率は正の相関関係が確認された。