[10a-PA4-1~26] 6.2 カーボン系薄膜

[10a-PA4-12] ヨウ素ドープしたa-CN_x:H薄膜の電気的特性

〇(M2)齋藤 亘¹、山里 将朗¹、比嘉 晃¹ (1.琉球大工)

キーワード：

非晶質カーボン

水素化アモルファス窒化炭素(a-CNx:H)薄膜において、電子デバイスへの応用を目的としたヨウ素ドーピングが試みられている。本研究では膜中のヨウ素量(I/C比)ごとの誘電率の変化を調べることで、ヨウ素がa-CNx:H薄膜の電気的特性に与える影響について調査した。誘電率の評価により、100 kHz以下の全領域で比誘電率の上昇がみられ、I/C比の増加に伴って比誘電率は正の相関関係が確認された。