Presentation Information
[10a-PA4-18]Diamond Crystal Growth on Graphite Substrates for Next-Generation Heat Sink
〇Hiroto Shimizu1, Masaki Matsumoto1, Shuhei Toshinari2, Yoshihiro Ueoka3, Masami Mesuda3, Takaomi Matsutani1, Mami Fuji4 (1.Kindai Univ., 2.Thermo Graphitics Co.Ltd., 3.Tosoh Corporation Advanced Materials Research Laboratory., 4.Ritsumeikan Univercity.)
Keywords:
carbon material,diamond,heat sink
近年の高性能電子機器では発熱対策が重要であり、本研究ではグラファイトをダイヤモンドで被覆した積層ヒートシンク構造に着目した。HOPG 基板のグラフェン層と垂直な面に 10°, 20°, 40°の傾斜角を導入し、MP-CVD 法でダイヤモンド結晶を成長させた結果、20°基板では約 90%の高被覆率を達成した。一方、欠陥度 ID/IG は増加した。10°基板では被覆率向上と低い ID/IG 値を両立し、被覆率と結晶性のバランスに優れる条件であることが示唆された。