講演情報
[10a-PA4-18]次世代ヒートシンク開発に向けたグラファイト上へのダイヤモンド結晶成長
〇清水 浩登1、松本 賢宜1、俊成 修平2、上岡 義弘3、召田 雅実3、松谷 貴臣1、藤井 茉美4 (1.近大院総理工、2.株式会社サーモグラフィティクス、3.東ソー株式会社、4.立命館大理工)
キーワード：
炭素材料、ダイヤモンド、ヒートシンク
近年の高性能電子機器では発熱対策が重要であり、本研究ではグラファイトをダイヤモンドで被覆した積層ヒートシンク構造に着目した。HOPG 基板のグラフェン層と垂直な面に 10°, 20°, 40°の傾斜角を導入し、MP-CVD 法でダイヤモンド結晶を成長させた結果、20°基板では約 90%の高被覆率を達成した。一方、欠陥度 ID/IG は増加した。10°基板では被覆率向上と低い ID/IG 値を両立し、被覆率と結晶性のバランスに優れる条件であることが示唆された。