Presentation Information
[10a-PA4-19]Formation of Embedded Junction Termination Structures on (111) Diamond Using All-CVD Process
〇Atomu Yamashita1, Kazuki Kobayashi1,2, Kan Hayashi1,2, Kimiyoshi Ichikawa1,2, Taro Yoshikawa2, Satoshi Yamasaki2, Takao Inokuma1,2, Norio Tokuda1,2, Tsubasa Matsumoto1,2 (1.Kanazawa Univ, 2.ARCDia)
Keywords:
semiconductor,diamond,etching process
本研究室で開発したマイクロ波プラズマCVD装置を用いた一貫プロセスによる、ダイヤモンド埋込エッジ終端構造の作製プロセスの確立を目指した。選択成長領域であるドーナツ領域はピットやつなぎ目のない極めて良好な埋込形状が観測された。難加工材料であるダイヤモンドにおいてこの技術が発達すれば、パワーデバイスの耐圧、信頼性の向上が期待され、電力変換の高効率化による省エネルギー化で世界に貢献できると考えている。