講演情報
[10a-PA4-19]MPCVD一貫プロセスを用いた(111)ダイヤモンド埋込エッジ終端構造の形成
〇山下 愛富1、小林 和樹1,2、林 寛1,2、市川 公善1,2、吉川 太朗2、山崎 聡2、猪熊 孝夫1,2、徳田 規夫1,2、松本 翼1,2 (1.金沢大自然研、2.ダイヤ研究センター)
キーワード：
半導体、ダイヤモンド、エッチング加工
本研究室で開発したマイクロ波プラズマCVD装置を用いた一貫プロセスによる、ダイヤモンド埋込エッジ終端構造の作製プロセスの確立を目指した。選択成長領域であるドーナツ領域はピットやつなぎ目のない極めて良好な埋込形状が観測された。難加工材料であるダイヤモンドにおいてこの技術が発達すれば、パワーデバイスの耐圧、信頼性の向上が期待され、電力変換の高効率化による省エネルギー化で世界に貢献できると考えている。