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[10a-PA4-20]Crystalline uniformity of single-crystal diamond (100) surfaces on Si substrates by controlling diamond crystal shape

〇Shouhei Yamazaki1, Takahiro Tsukamoto1, Hideo Isshiki1 (1.UEC)

Keywords:

diamond,MPCVD,Si substrate

ダイヤモンドは優れた物性を持つことから、次世代パワーデバイス半導体材料として注目されている。これまでに、既存の集積回路とダイヤモンドの親和性の高さから、Si基板上単結晶ダイヤモンドにおける結晶性評価及び電気特性評価を行ってきた。本研究では、Si基板上孤立単結晶ダイヤモンド(100)面のさらなる結晶性均一化を目指し、成長過程における結晶形状(aパラメータ)を制御したサンプルを作製し、その結晶性をラマンマッピングにより評価した。