講演情報
[10a-PA4-20]結晶形状制御によるSi基板上孤立単結晶ダイヤモンド(100)面の結晶性均一化
〇山崎 翔平1、塚本 貴広1、一色 秀夫1 (1.電通大)
キーワード：
ダイヤモンド、MPCVD、Si基板
ダイヤモンドは優れた物性を持つことから、次世代パワーデバイス半導体材料として注目されている。これまでに、既存の集積回路とダイヤモンドの親和性の高さから、Si基板上単結晶ダイヤモンドにおける結晶性評価及び電気特性評価を行ってきた。本研究では、Si基板上孤立単結晶ダイヤモンド(100)面のさらなる結晶性均一化を目指し、成長過程における結晶形状(aパラメータ)を制御したサンプルを作製し、その結晶性をラマンマッピングにより評価した。