Presentation Information
[10a-PA4-22]Direct Cross-sectional TEM Evaluation of Nanoscale-Flat Diamond Trench {111} Sidewalls Formed by Thermochemical Etching
〇Masatsugu Nagai1, Tsubasa Matsumoto2, Satoshi Yamasaki2, Norio Tokuda2, Moriyoshi Haruyama1, Yukako Kato1, Hironori Yoshioka1, Hitoshi Umezawa1, Hiromitsu Kato1, Masahiko Ogura1, Daisuke Takeuchi1, Yoshiyuki Miyamoto1, Toshiharu Makino1 (1.AIST, 2.Kanazawa Univ.)
Keywords:
Diamond,Etching,Trench
トレンチ型反転層チャネルダイヤモンドMOSFETは、材料と構造の優位性から、低損失パワーデバイスの究極形の一つとして期待されている。一方で、当該デバイスのポテンシャルを引き出すには、ナノスケールで平坦な{111}側面を備えたダイヤモンドトレンチの形成が必要であるが、RIE等の従来技術ではその実現が困難である。本研究では、Niと水蒸気を用いる独自の熱化学エッチング技術の最適化を通じて、当該構造の形成を世界で初めて実証した。