講演情報
[10a-PA4-22]熱化学エッチングにより形成したナノスケールで平坦なダイヤモンドトレンチ{111}側面の断面TEMによる直接評価
〇長井 雅嗣1、松本 翼2、山崎 聡2、徳田 規夫2、春山 盛善1、加藤 有香子1、吉岡 裕典1、梅沢 仁1、加藤 宙光1、小倉 政彦1、竹内 大輔1、宮本 良之1、牧野 俊晴1 (1.産総研、2.金沢大)
キーワード：
ダイヤモンド、エッチング、トレンチ
トレンチ型反転層チャネルダイヤモンドMOSFETは、材料と構造の優位性から、低損失パワーデバイスの究極形の一つとして期待されている。一方で、当該デバイスのポテンシャルを引き出すには、ナノスケールで平坦な{111}側面を備えたダイヤモンドトレンチの形成が必要であるが、RIE等の従来技術ではその実現が困難である。本研究では、Niと水蒸気を用いる独自の熱化学エッチング技術の最適化を通じて、当該構造の形成を世界で初めて実証した。