Presentation Information
[10a-PA5-4]Optical and electrical properties of Cu3VO4 thin film deposited by ultrasonic spray pyrolysis
〇Masao Kita1, Issei Suzuki2, Takahisa Omata2 (1.NIT, Toyama, 2.Tohoku Univ.)
Keywords:
oxide semiconductor,narrow-bandgap,zinc blende-related structure
超音波噴霧熱分解法により成膜した閃亜鉛鉱型関連構造を有するCu3VO4薄膜の光学的・電気的特性を評価した．Taucプロットから見積もられるCu3VO4単相薄膜の直接遷移のバンドギャップの値は1.58 eVだった．この値は単接合太陽電池の限界理論変換効率曲線が最大となるエネルギー領域に位置していた．ホール効果測定より，ノンドープのCu3VO4薄膜はp型伝導性を有し、キャリア密度は8×1016 cm-3で、移動度は0.7 cm2V-1S-1であった．