[10a-PA5-1~22] 13.9 化合物太陽電池

[10a-PA5-4] 超音波噴霧熱分解法により成膜したCu₃VO₄薄膜の光学的・電気的特性

〇喜多 正雄¹、鈴木 一誓²、小俣 孝久² (1.富山高等、2.東北大学)

キーワード：

酸化物半導体、ナローギャップ、閃亜鉛鉱型関連構造

超音波噴霧熱分解法により成膜した閃亜鉛鉱型関連構造を有するCu₃VO₄薄膜の光学的・電気的特性を評価した．Taucプロットから見積もられるCu3VO4単相薄膜の直接遷移のバンドギャップの値は1.58 eVだった．この値は単接合太陽電池の限界理論変換効率曲線が最大となるエネルギー領域に位置していた．ホール効果測定より，ノンドープのCu₃VO₄薄膜はp型伝導性を有し、キャリア密度は8×10¹⁶ cm^-3で、移動度は0.7 cm²V^-1_S^-1であった．