[10p-C212-1~18] 3.13 Silicon photonics, Photonics-electronics convergence, Optical control

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10p-C212-3] Fabrication and Characterization of a Silicon Photonics Integrated Waveguide Phototransistor with Separated Ge Absorption and Si Amplification Structure

〇Sota Iwasaki¹, Hideki Ono¹, Hiroyuki Takahashi¹, Hitoshi Murai¹ (1.OKI)

Keywords:

silicon photonics,Ge photodetector,waveguide phototransistor

センシング応用に向けた高感度かつ低バイアス動作可能な受光デバイスのシリコンフォトニクス集積が期待されている。従来のPIN-PDは受光感度が低く、APDは高バイアス動作に伴う暗電流増大が課題である。本研究では、低暗電流かつ高受光感度が期待される導波路型フォトトランジスタを作製し、センシング応用に適した低バイアス動作下での低暗電流と高受光感度が得られた。