講演情報
[10p-C212-3]Ge吸収層とSi増幅層を分離したシリコンフォトニクス集積
導波路型フォトトランジスタの作製と特性評価
〇岩崎 颯太1、小野 英輝1、高橋 博之1、村井 仁1 (1.沖電気)
キーワード：
シリコンフォトニクス、Ge受光デバイス、導波路型フォトトランジスタ
センシング応用に向けた高感度かつ低バイアス動作可能な受光デバイスのシリコンフォトニクス集積が期待されている。従来のPIN-PDは受光感度が低く、APDは高バイアス動作に伴う暗電流増大が課題である。本研究では、低暗電流かつ高受光感度が期待される導波路型フォトトランジスタを作製し、センシング応用に適した低バイアス動作下での低暗電流と高受光感度が得られた。