Presentation Information
[10p-C212-9]Waveguide Fabrication on InP Film Bonded to Si Waveguide Using Crystal Film Bonding Technology and Evaluation of Optical Coupling Characteristics
〇Chihiro Mizunuma1, Hironori Furuta1, Kenichi Tanigawa1, Hideki Ono1, Hiroyuki Takahashi1, Shun Ito2, Moataz Eissa2, Yoshitaka Oiso2, Tsuyoshi Horikawa2, Nobuhiko Nishiyama2 (1.Oki Electric Industry Co., Ltd., 2.Institute of Science Tokyo.)
Keywords:
heterogeneous integration
データセンタ向けに、より低消費電力かつ高密度実装が可能な光集積回路の実現が望まれている。今回、機能層のみを半導体基板から剥離し、別基板へ接合できるCrystal Film Bonding（CFB）技術を用いて、Si導波路上へInPフィルムを接合し、立体交差導波路構造を形成した。その特性を評価した結果、Si導波路とInP導波路との間での良好な光結合を確認したので報告する。