講演情報
[10p-C212-9]Crystal Film Bonding技術を用いてSi導波路上に接合したInPフィルムへの導波路形成と光結合特性評価
〇水沼 千尋1、古田 裕典1、谷川 兼一1、小野 英輝1、高橋 博之1、伊藤 竣2、Moataz Eissa2、大礒 義孝2、堀川 剛2、西山 伸彦2 (1.沖電気工業株式会社、2.東京科学大学)
キーワード：
異種材料集積
データセンタ向けに、より低消費電力かつ高密度実装が可能な光集積回路の実現が望まれている。今回、機能層のみを半導体基板から剥離し、別基板へ接合できるCrystal Film Bonding（CFB）技術を用いて、Si導波路上へInPフィルムを接合し、立体交差導波路構造を形成した。その特性を評価した結果、Si導波路とInP導波路との間での良好な光結合を確認したので報告する。