[10p-E101-1~11] Frontiers of Research on Ferroelectric Semiconductors

2:05 PM - 2:35 PM JST(5:05 AM - 5:35 AM UTC)

[10p-E101-3] Impact of Spontaneous and Piezoelectric Polarization Charges on Optical and Electrical Properties of Nitride Semiconductors

〇Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Motoaki Iwaya¹ (1.Meijo Univ.)

Keywords:

Nitride Semiconductors,Spontaneous and Piezoelectric Polarization,Polarization doping

本報告では、窒化物半導体の自発・圧電分極電荷が光学的特性に与える影響として、黎明期におけるGaInN量子井戸での発光特性に関する結果を中心に紹介し、その分極電荷が電気的特性に与える影響として、最近のAlGaN組成傾斜層での正孔濃度形成に関する結果を中心に紹介する。