Presentation Information
[10p-E202-4]Experimental Study of Hf-doped β-Ga2O3 by Floating Zone Method
〇(M1)MYEONGGYUN KANG1,2, Kamda Kei3, Hisato Suezumi1,2, Masanori Kitahara1,2, Satoshi Ishizawa2, Rikito Murakami1, Yui Yokota4, Masao Yoshino2, Akira Yoshikawa2,3 (1.Tohoku Univ., 2.Tohoku IMR., 3.Tohoku NICHe, 4.Kyushu Univ.)
Keywords:
bulk growth,semiconductor
当研究室で開発したOxide crystal Growth from Cold Crucible法は原料融液自体が坩堝になる方法である。しかし、大口径結晶の育成を主に目的としているため、スクリーニング用途には適さない。そこで、本研究では組成および成長雰囲気のスクリーニングが可能であるFloating Zone法を用いてHf 添加β-Ga2O3単結晶を育成した。Hfの濃度変化による光学的・電気的特性に及ぼす影響に関して報告する。