講演情報
[10p-E202-4]フローティングゾーン(FZ)法を用いたHf添加酸化ガリウムの実験的検証
〇(M1)姜 明均1,2、鎌田 圭3、末積 尚人1,2、北原 正典1,2、石澤 倫2、村上 力輝斗1、横田 有為4、吉野 将生2、吉川 彰2,3 (1.東北大工、2.東北大金研、3.東北大NICHe、4.九州大)
キーワード：
バルク成長、半導体
当研究室で開発したOxide crystal Growth from Cold Crucible法は原料融液自体が坩堝になる方法である。しかし、大口径結晶の育成を主に目的としているため、スクリーニング用途には適さない。そこで、本研究では組成および成長雰囲気のスクリーニングが可能であるFloating Zone法を用いてHf 添加β-Ga2O3単結晶を育成した。Hfの濃度変化による光学的・電気的特性に及ぼす影響に関して報告する。