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2:15 PM - 2:30 PM JST(5:15 AM - 5:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10p-E208-4]Investigation of thickness dependence of amorphous binary Ge-Te thin films for the selector application

〇(M2)Daiki Inose¹, Mihyeon Kim¹, Shogo Hatayama², Yuta Saito^1,2,3 (1.Tohoku Univ., 2.SFRC, AIST, 3.GXT, Tohoku Univ.)

Keywords:

selector,amorphous chalcogenide,crystallization

アモルファスカルコゲナイドからなるOTS(Ovonic Threshold Switch)材料は, 印加電圧が閾値を超えると高抵抗状態から低抵抗状態へと遷移し, 電圧を除荷すると再び高抵抗状態へと戻る可逆的な揮発性抵抗変化を示す. 中でもGe-Te系材料は, 5 nsという高速応答を示すことで注目されているが, アモルファスの耐熱性が低いことが実用化の障壁となっている. 一般に, アモルファス薄膜では膜厚の減少に伴い結晶化温度が増加することが知られており, 薄膜化は耐熱性向上と高集積化の両面から有効なアプローチと考えられる. しかし, Ge-Te二元薄膜における膜厚依存性は十分に明らかにされていない. そこで本研究では, 極薄膜OTSセレクタの実現に向けて, アモルファスGe-Te二元薄膜の膜厚依存性を系統的に調査した.

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