[10p-E218-1~13] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

4:30 PM - 4:45 PM JST(7:30 AM - 7:45 AM UTC)

[10p-E218-12] Development of a Neuron CMOS Device in Minimal-Fab Process

〇Hiroshige Kogayu¹, Noriko Miura², Hirotaka Furukawa³, Masaaki Fukuhara³, Shiro Hara^1,2 (1.Hundred, 2.AIST, 3.Tokai Univ.)

Keywords:

Minimal Fab,Neuron MOS,floating gate

ミニマルファブを用いたSOI-CMOSプロセス/デバイスの開発を行ってきた。今回集積化や複雑な回路への応用としてニューロンCMOSのデバイスの開発に取り組んだ。2入力ニューロンMOSトランジスタ、および3入力ニューロンCMOSインバータの設計を行い、試作、評価した。コントロールゲート電圧を変化させた時のpMOSのIg-Vd特性においてVthを制御する動作を確認した。3入力ニューロンCMOSインバータの可変論理動作については発表当日報告する。