Presentation Information
[10p-F211-5]Consideration of ITO etching surface reaction mechanism with high temperature using H2 plasma
〇Ryohei Suzuki1, Yoshinori Kodama1, Kazuhisa Matsuda1, Katsuhisa Kugimiya1, Yoshiya Hagimoto1 (1.Sony Semiconductor Solutions Corp)
Keywords:
etching,plasma,ITO
酸化インジウムスズ（Indium Tin Oxide：ITO）は、高い透明性と導電性を有しているためタッチパネルや太陽電池などに広く用いられている。しかし、ITOの主成分であるInはハロゲンとの反応生成物の沸点が高いため、ドライエッチングによる加工が難しいことが知られている。温度を上げることで反応生成物の揮発は容易に可能となり、水素ガス、炭化水素ガス、ハロゲンガスなどのエッチングガスの違いにより加工特性が異なるという報告はあるものの、それらのメカ ニズムや表面反応に着目した例は少ない。そこで今回は、H2プラズマを用いたITO高温加工の表 面反応についてのメカニズム調査を行ったため報告する。