[10p-N101-1~17] CS.8 Code-sharing session of 6.2 &KS1

5:00 PM - 5:15 PM JST(8:00 AM - 8:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10p-N101-12] Diamond NV center formation by convergence high energy electron beam

〇Itsuki Misono¹, Shota Kikumoto^1,2, Taisuke Kgeura², Kosuke Kimura³, Shinobu Onoda³, Hiroshi Naragino¹, Tsuyoshi Yoshitake¹ (1.IGSES, Kyushu Univ., 2.AIST, 3.QST)

Keywords:

Diamond,NV center,High voltage electron microscope

高密度NV中心形成を目的に、800℃に加熱したType-Ibダイヤモンド基板へ1.25 MeVの収束電子線を照射した。照射後、光学顕微鏡やPL強度マップ、ラマン分光により照射領域近傍でNV形成を確認した。照射中心では過剰照射によるグラファイト化が示唆された一方、周辺部では3次元的にNVが形成され、最大密度は約10 ppmと見積もられた。HVEM照射は効率的な空孔導入とNV形成に有効である。