[10p-N101-1~17] CS.8 6.2 カーボン系薄膜、KS1 固体量子センサ研究会のコードシェアセッション

17:00 〜 17:15奨励賞エントリー

[10p-N101-12] 高エネルギー収束電子線を用いたダイヤモンドNV中心形成

〇御園 樹¹、菊本 翔太^1,2、蔭浦 泰資²、木村 晃介³、小野田 忍³、楢木野 宏¹、吉武 剛¹ (1.九大院総理工、2.産総研、3.QST)

キーワード：

ダイヤモンド、NV中心、超高圧電子顕微鏡

高密度NV中心形成を目的に、800℃に加熱したType-Ibダイヤモンド基板へ1.25 MeVの収束電子線を照射した。照射後、光学顕微鏡やPL強度マップ、ラマン分光により照射領域近傍でNV形成を確認した。照射中心では過剰照射によるグラファイト化が示唆された一方、周辺部では3次元的にNVが形成され、最大密度は約10 ppmと見積もられた。HVEM照射は効率的な空孔導入とNV形成に有効である。