[10p-N101-1~17] CS.8 Code-sharing session of 6.2 &KS1

3:30 PM - 3:45 PM JST(6:30 AM - 6:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10p-N101-7] Selective Etching and Selective Embedded Growth on Atomically Flat Diamond (111) Surfaces Using Hydrogen–Nitrogen Plasma

〇Riku Yoshida¹, Kazuki Kobayashi^1,2, Kimiyoshi Ichikawa^1,2, Kan Hayashi^1,2, Satoshi Yamasaki², Takao Inokuma^1,2, Tsubasa Matsumoto^1,2, Norio Tokuda^1,2 (1.Kanazawa Univ., 2.ARCDia)

Keywords:

diamond,etching,growth

本研究では、メタルマスクを用いた場合と用いない場合の原子的平坦面上への選択埋込成長挙動を比較するため、窒素添加水素プラズマによる選択エッチング後、高濃度窒素ドープダイヤモンドのラテラル成長を用いた選択埋込成長を検討した。その結果、メタルマスクを用いた場合には縁部に溝状の凹構造が形成され、用いない場合とは異なる成長挙動が確認された。本発表ではメタルマスクの有無による選択成長メカニズムを議論する。