Presentation Information
[10p-PA3-32]Effect of CoFeB Film Thickness on CoFeB Magnetic Anisotropy Control Using Ferroelectric AlScN
〇Hiroyuki Kobayashi1, Kazushi Onimura2, Yan Wu2, Satoshi Okamoto1,2, Satoru Yoshimura3, Kuniyuki Kakushima2 (1.Sumitomo Chem., 2.Science Tokyo, 3.Akita Univ.)
Keywords:
magnetism,ferroelectric,magnetic anisotropy
MRAMでは、書き込み時の消費電力が課題となっている。そこで、電流ではなく電圧でスピンを制御する手法として、金属磁性層に誘電層を介して電圧を印加し、磁気異方性を変化させる方法が検討されている。我々は、この磁気異方性制御を不揮発化するため、誘電体を強誘電体に置き換える検討を進めてきた。今回、膜厚の異なるCoFeB上に積層した強誘電体AlScNの分極反転に伴う磁気異方性変化を調べたので報告する。