講演情報
[10p-PA3-32]強誘電体AlScNを用いたCoFeB磁気異方性制御におけるCoFeB膜厚の影響
〇小林 宏之1、鬼村 和志2、呉 研2、岡本 敏1,2、吉村 哲3、角嶋 邦之2 (1.科学大–住友化学協働研究拠点、2.科学大、3.秋田大)
キーワード：
磁性、強誘電体、磁気異方性
MRAMでは、書き込み時の消費電力が課題となっている。そこで、電流ではなく電圧でスピンを制御する手法として、金属磁性層に誘電層を介して電圧を印加し、磁気異方性を変化させる方法が検討されている。我々は、この磁気異方性制御を不揮発化するため、誘電体を強誘電体に置き換える検討を進めてきた。今回、膜厚の異なるCoFeB上に積層した強誘電体AlScNの分極反転に伴う磁気異方性変化を調べたので報告する。