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[10p-PA3-37]Theoretical Analysis of Interdiffusion at Heusler Alloy/Ge Interfaces Based on First-Principles Molecular Dynamics and Machine Learning Force Fields
〇Jun Sasaki1, Yoshio Miura1 (1.KIT)
Keywords:
Machine Learning Force Fields,FirstPrinciples Molecular Dynamics
スピントロニクスの応用の１つとして注目されている半導体スピン電界効果トランジスタの実現には強磁性体から半導体への高効率スピン注入が不可欠である。しかしながら、 ホイスラー合金(Co2FeSi)/Ge 界面では熱処理による原子相互拡散が生じ、スピン分極率が著しく低下する課題がある。実験的には Fe バッファ層の挿入による特性向上が報告されているが、その微視的メカニズムは未解明である。本研究では同界面の原子拡散機構を解明し、熱安定性の高い界面の設計指針を構築することを目的とする。