講演情報
[10p-PA3-37]第一原理分子動力学法と機械学習力場を用いたホイスラー合金/Ge 界面における熱原子拡散の理論解析
〇佐々木 淳1、三浦 良雄1 (1.京都工繊大)
キーワード：
機械学習力場、第一原理分子動力学法
スピントロニクスの応用の１つとして注目されている半導体スピン電界効果トランジスタの実現には強磁性体から半導体への高効率スピン注入が不可欠である。しかしながら、 ホイスラー合金(Co2FeSi)/Ge 界面では熱処理による原子相互拡散が生じ、スピン分極率が著しく低下する課題がある。実験的には Fe バッファ層の挿入による特性向上が報告されているが、その微視的メカニズムは未解明である。本研究では同界面の原子拡散機構を解明し、熱安定性の高い界面の設計指針を構築することを目的とする。