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[10p-PB3-16]Investigation of the Mechanism Underlying Room-Temperature Ferromagnetism Observed in ZnO Nanoparticles
〇Hibiki Inui1, Kenta Ueki1, Kouichi Takase2 (1.Graduate School of Sci. and Tech., Nihon Univ., 2.college of Sci. and Tech., Nihon Univ.)
Keywords:
d0 ferromagnetism,Room temperature ferromagnetism
ワイドギャップ半導体ZnOのd0強磁性発現機構の解明に向け、粉砕による欠陥導入と水素処理によるキャリア制御が磁性に及ぼす影響を調査し、室温強磁性と磁化の増大を確認した。そこで本研究では、半導体と強磁性を同時に実現する「二準位モデル」の検証を目的に低温PL測定を行い、浅いドナーと深い欠陥の共存を明確に観測した。これは磁気ポーラロン機構に基づく二準位モデルを支持する。